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J-GLOBAL ID：200903033566088046

基板評価用素子、その製造方法及びSOI基板の評価方法

Inventor： 久保田 剛志 ,  山本 一弘
Applicant, Patent owner： 三菱住友シリコン株式会社
Agent (1)： 井内 龍二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001163653
Publication number (International publication number)：2002359362
Application date： May. 31, 2001
Publication date： Dec. 13, 2002
Summary：

【要約】【課題】 シリコン層の評価を行うためのMOS型半導体素子と、埋め込み酸化膜の耐圧を評価するためのMOS型半導体素子とが一つのSOI基板に形成された、SOI基板におけるシリコン層及び絶縁層(埋め込み酸化膜)の品質を正当に評価することができる基板評価用素子を提供すること。【解決手段】 埋め込み酸化膜22上にシリコン層23が形成されたSOI基板20を評価するための基板評価用素子において、シリコン層23上にMOSキャパシタ30を形成し、MOSキャパシタ30周辺のシリコン層23にシリコン層23の型と反対の型の拡散層23aを形成し、かつMOSキャパシタ30周辺外のシリコン層23の所定領域にも反対の型の拡散層23bを形成する。

Claim (excerpt)：

絶縁物または絶縁層上にシリコン層が形成された基板を評価するための基板評価用素子において、前記シリコン層上にMOSキャパシタが形成され、該MOSキャパシタ周辺の前記シリコン層に該シリコン層の型と反対の型の拡散層が形成され、かつ前記MOSキャパシタ周辺外の前記シリコン層の所定領域にも前記反対の型の拡散層が形成されていることを特徴とする基板評価用素子。

IPC (6)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/66 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 29/786

FI (8)：

H01L 27/12 T ,  H01L 27/12 B ,  H01L 27/12 E ,  H01L 21/66 V ,  H01L 21/66 Y ,  H01L 27/08 331 E ,  H01L 27/04 T ,  H01L 29/78 624

F-Term (36)：

4M106AA07 ,  4M106AB01 ,  4M106AB20 ,  4M106AC02 ,  4M106CA14 ,  4M106CA70 ,  5F038DT11 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ20 ,  5F048AC10 ,  5F048BA16 ,  5F048BB05 ,  5F048BB06 ,  5F110AA24 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE09 ,  5F110EE38 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110NN37 ,  5F110QQ16