光半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996298737
Publication number (International publication number)：1998144965
Application date： Nov. 11, 1996
Publication date： May. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】ダイパッドの両面に光半導体チップ及び半導体ICチップを実装してなる光半導体装置を安定して製造する方法を提供する。【解決手段】リードフレーム5の上下面にそれぞれ第1及び第2外枠1,2を樹脂成形によって形成し、当該外枠1,2の内部にそれぞれ光半導体チップ8及び半導体ICチップ9を配置する。外枠1,2の内部には、光透過性樹脂3及び遮光性樹脂4が充填されている。

Claim (excerpt)：

表面及び裏面を有するダイパッドと、前記ダイパッドと所定の隙間を隔てて離隔し、前記ダイパッドの前記表面及び裏面に沿う方向に延びた複数のインナーリードと、前記ダイパッドを囲むように前記インナーリード間及び前記隙間を充填する、絶縁性樹脂を含む充填材料と、前記充填材料と同じ材料からなり、前記ダイパッドを囲むように前記インナーリードの表面側及び裏面側からそれぞれ突出した第1及び第2外枠と、前記ダイパッドの前記表面及び前記第1外枠の内面によって囲まれる空間内に配置された光半導体チップと、前記ダイパッドの前記裏面及び前記第2外枠の内面によって囲まれる空間内に配置された半導体ICチップと、前記光半導体チップ及び前記半導体ICチップを前記インナーリードに接続する配線と、前記半導体ICチップの配置された前記空間内に充填された樹脂と、を備えることを特徴とする光半導体装置。

IPC (6)：

H01L 33/00 , H01L 23/28 , H01L 23/29 , H01L 23/31 , H01L 25/00 , H01L 31/02

FI (5)：

H01L 33/00 N , H01L 23/28 D , H01L 25/00 A , H01L 23/30 F , H01L 31/02 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭60-170982
光半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-194222 Applicant：三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社
LED表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-293948 Applicant：豊田合成株式会社

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