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J-GLOBAL ID：200903033570612124

デュアルダマシン構造のエッチング方法

Inventor： 木原 嘉英 ,  岡本 普 ,  稲沢 剛一郎 ,  末正 智希
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 亀谷 美明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000317661
Publication number (International publication number)：2002124568
Application date： Oct. 18, 2000
Publication date： Apr. 26, 2002
Summary：

【要約】【課題】 ハードマスクの肩落ちを抑制可能なデュアルダマシン構造のエッチング方法を提供すること。【解決手段】 少なくとも1層以上のLowK膜と少なくとも1層以上のハードマスクを用いるデュアルダマシン構造のエッチング方法であって,肩落ちを防止するために前記ハードマスクの上に,最終的には構造中に残らないダミー膜を少なくとも1層以上形成することを特徴とする,デュアルダマシン構造のエッチング方法を提供する。

Claim (excerpt)：

少なくとも1層以上のLowK膜と少なくとも1層以上のハードマスクを用いるデュアルダマシン構造のエッチング方法であって:肩落ちを防止するために前記ハードマスクの上に,最終的には構造中に残らないダミー膜を少なくとも1層以上形成することを特徴とする,デュアルダマシン構造のエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3065

FI (4)：

H01L 21/90 P ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/90 C

F-Term (37)：

5F004AA04 ,  5F004AA09 ,  5F004BA04 ,  5F004DB00 ,  5F004EA03 ,  5F004EA06 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033MM02 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ18 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR11 ,  5F033RR22 ,  5F033RR23 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033TT04 ,  5F033XX24 ,  5F033XX31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-239528   Applicant：富士通株式会社
• 微細接続孔の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-231341   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-103644   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-201742   Applicant：ソニー株式会社