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J-GLOBAL ID：200903033578961764

X線マスク及びその製造方法

Inventor： 伊東 敏雄
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994304990
Publication number (International publication number)：1996162395
Application date： Dec. 08, 1994
Publication date： Jun. 21, 1996
Summary：

【要約】【目的】 高精度で容易なX線マスクの製造方法の提供。【構成】 シリコン基板10の表面に、メンブレンとなる厚さ2μmのSiN膜14を形成する。次に、シリコン基板10の第1主表面12a側のSiN膜14a上に、スパッタ法を用いて厚さ0.5μmのオスミウム(Os)膜18を成膜する。次に、Os膜18上に、耐酸素プラズマ性を有する材料であるSiO2 膜20をCVD法により、膜厚0.05μmに成膜する。次に、SiO2 膜20上に、レジストパターン22を形成する。次に、レジストパターン22のパターンをSiO2 膜20に転写する。次に、SiNのエッチングマスクパターン20aを介して、Os膜18に対してO2 -RIEを行って、X線吸収体パターン18aを形成する。

Claim (excerpt)：

X線透過性薄膜上に、オスミウム(Os)からなるX線吸収体パターンを具えてなることを特徴とするX線マスク。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16 ,  H01L 21/3065

FI (3)：

H01L 21/30 531 M ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/302 H