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J-GLOBAL ID：200903033592299373

薄膜磁気ヘッド及び磁気ヘッド装置

Inventor： 中田 正宏
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 西岡 伸泰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996065303
Publication number (International publication number)：1997231520
Application date： Feb. 26, 1996
Publication date： Sep. 05, 1997
Summary：

【要約】【課題】 MRヘッド素子を具えた薄膜磁気ヘッドにおいて、MR素子層の温度上昇を抑制する。【解決手段】 上部シールド層8と同一の資材からなる帯状の水平熱伝導層80が、上部シールド層8の端部から引き出され、該水平熱伝導層80の先端部には垂直熱伝導層81が設けられている。該垂直熱伝導層81は、第1層、第2層、第3層84及び放熱層90から構成されている。MR素子層から発生した熱は、上部シールド層8から水平熱伝導層80を経て垂直熱伝導層81に伝わり、放熱層90の表面から外部へ放散される。

Claim (excerpt)：

基板(1)上に磁気抵抗効果型ヘッド素子H2を具え、該ヘッド素子H2は、下部シールド層(3)と上部シールド層(8)の間に磁気抵抗効果素子層(5)を介在させて構成され、ヘッド素子全体が保護層(16)によって覆われている薄膜磁気ヘッドにおいて、上部シールド層(8)と同一の資材からなる水平熱伝導層(80)が、基板(1)と保護層(16)の間を上部シールド層(8)の端部から基板(1)の表面に沿ってヘッド素子の外方位置まで伸びると共に、該水平熱伝導層(80)の先端部に重ねて、保護層(16)よりも熱伝導率の高い資材からなる垂直熱伝導層(81)が形成され、該垂直熱伝導層(81)は、保護層(16)を貫通して保護層表面から露出していることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。