Pat
J-GLOBAL ID：200903033592593808
緩やかな傾斜を有する酸化膜パターン形成のための半導体素子の製造方法
Inventor：
,
,
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998206750
Publication number (International publication number)：1999087310
Application date： Jul. 22, 1998
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：
【要約】【課題】 側面が緩やかな傾斜角度を有する酸化膜パターンを形成するための半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】 基板上に上部層に行くに従ってその蒸着温度が低い多層の異種接合酸化層、あるいはその熱処理温度が低い多層の異種接合酸化層を形成し、前記多層の酸化層を選択的にエッチングしてその側壁が斜めになる酸化膜パターンを形成する。
Claim (excerpt)：
基板上に上部層に行くに従ってその蒸着温度が低い多層の異種接合酸化層を形成する段階と、前記多層の酸化層を選択的にエッチングしてその側壁が傾斜した酸化膜パターンを形成する段階とを含むことを特徴とする緩やかな傾斜を有する酸化膜パターン形成のための半導体素子の製造方法。
Patent cited by the Patent：
Return to Previous Page
