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J-GLOBAL ID：200903033600183991

バンプ転写基材、導電性バンプの形成方法、バンプ転写基材の製造方法、バンプ形状転写基材の製造方法、配線基板、および半導体の実装体

Inventor： 東谷 秀樹 ,  安藤 大蔵 ,  中村 禎志
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岡田 和秀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001257579
Publication number (International publication number)：2003068778
Application date： Aug. 28, 2001
Publication date： Mar. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】 微細な導電性バンプを高精度、生産性、かつ低コスト性に優れた方法で提供する。【解決手段】 配線101と、前記配線101上に形成された導電性バンプ102と、前記導電性バンプ102を保持する保持層103とを備えたバンプ転写基材104を、バンプ形成部材105に接着させ、前記保持層103を除去し、前記配線101と前記導電性バンプ102をバンプ形成部材105表面に露出させて導電性バンプを形成する。

Claim (excerpt)：

配線と、前記配線上に形成された導電性バンプと、前記バンプを保持する保持層とを備えたことを特徴とするバンプ転写基材。

IPC (3)：

H01L 21/60 ,  H05K 3/20 ,  H05K 3/34 505

FI (3)：

H05K 3/20 A ,  H05K 3/34 505 B ,  H01L 21/92 604 F

F-Term (13)：

5E319AA03 ,  5E319AC02 ,  5E319AC17 ,  5E319CC03 ,  5E319GG15 ,  5E343AA15 ,  5E343AA17 ,  5E343BB24 ,  5E343BB44 ,  5E343BB67 ,  5E343DD33 ,  5E343DD43 ,  5E343GG11