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J-GLOBAL ID：200903033601126584

高融点金属膜の堆積方法

Inventor：
小松 裕司

About 小松 裕司


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 山口 邦夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993064063
Publication number (International publication number)：1994275727
Application date： Mar. 23, 1993
Publication date： Sep. 30, 1994
Summary：
【要約】ステップカバレージと表面モホロジーの両方が良好な高融点金属膜の堆積方法を提供する。【目的】【構成】半導体基板1上もしくは上方に形成したコンタクトホール6もしくはヴィアホールへの高融点金属を材料とした高融点金属膜の堆積方法において、塩素を含むシラン系ガスにより、上記高融点金属の化合物を還元して上記コンタクトホール6もしくはヴィアホールに上記高融点金属または高融点金属化合物8を生成した後、上記高融点金属または高融点金属化合物上に上記高融点金属膜9を堆積する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成したコンタクトホールもしくはヴィアホール内への高融点金属を材料とした高融点金属膜の堆積方法において、塩素を含むシラン系ガスにより、前記高融点金属の化合物を還元して前記コンタクトホールもしくはヴィアホールに前記高融点金属または高融点金属化合物を生成した後、前記高融点金属または高融点金属化合物上に前記高融点金属膜を堆積することとを特徴とする高融点金属膜の堆積方法。
IPC (5)：
H01L 21/90 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/302
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 特開平4-236451
  • 特開平2-188921
  • 特開昭59-072132
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