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J-GLOBAL ID：200903033605038701
シリコン結晶中の酸素析出量の評価方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
志波 邦男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994037706
Publication number (International publication number)：1995226428
Application date： Feb. 11, 1994
Publication date： Aug. 22, 1995
Summary：
【要約】【目的】 シリコン結晶中の酸素析出量を簡便に定量的に評価する。【構成】 チョクラルスキー法により引き上げたシリコン結晶中の酸素析出量の評価方法において、赤外レーザー光をシリコン結晶に照射し、該赤外レーザー光が前記シリコン結晶内部に存在する酸素析出欠陥により散乱して得られる散乱光より酸素析出欠陥密度を求めるとともに欠陥1個当りの平均散乱光強度を求め、前記酸素析出欠陥密度と;前記平均散乱光強度の平方根と;の積を算出し、この算出結果に基づいて前記シリコン結晶中の酸素析出量を評価する。
Claim (excerpt)：
チョクラルスキー法により引き上げたシリコン結晶中の酸素析出量の評価方法において、赤外レーザー光をシリコン結晶に照射し、該赤外レーザー光が前記シリコン結晶内部に存在する酸素析出欠陥により散乱して得られる散乱光より酸素析出欠陥密度を求めるとともに欠陥1個当りの平均散乱光強度を求め、前記酸素析出欠陥密度と;前記平均散乱光強度の平方根と;の積を算出し、この算出結果に基づいて前記シリコン結晶中の酸素析出量を評価することを特徴とするシリコン結晶中の酸素析出量の評価方法。
IPC (3)：
H01L 21/66
, G01J 3/45
, G01N 21/35
