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J-GLOBAL ID：200903033610517391

ナノドットを利用した柱状ピン止め中心を有する超伝導薄膜及びその製造方法

Inventor： 伊原 英雄 ,  ユアン・アンドリアン・クリシャン
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  科学技術振興事業団
Agent (1)： 平山 一幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001185597
Publication number (International publication number)：2003008090
Application date： Jun. 19, 2001
Publication date： Jan. 10, 2003
Summary：

【要約】【課題】 超伝導薄膜の種類を問わず、臨界電流密度が少なくとも10倍高い超伝導薄膜を実現するとともに、これを低コストで製造する方法を提供する。【解決手段】 基板2上に島状に形成した基板及び超伝導物質以外の物質からなる三次元形状のナノドット3と、このナノドット3上に成長した超伝導物質からなる柱状欠陥4と、この柱状欠陥に形成した格子欠陥6と、柱状欠陥部分以外の基板上に形成した超伝導薄膜5とからなるナノドットを利用した柱状ピン止め中心を有する超伝導薄膜であり、超伝導物質以外の物質を、基板2の温度、膜厚を制御して堆積し凝集させてナノドット3を形成し、基板2上に超伝導薄膜5を成長させて形成する。

Claim (excerpt)：

基板と、この基板上に島状に形成した基板及び超伝導物質以外の物質からなる三次元形状のナノドットまたはナノストライプと、このナノドットまたはナノストライプ上に成長した上記超伝導物質からなる柱状欠陥と、上記柱状欠陥部分以外の上記基板上に形成した上記超伝導物質からなる超伝導薄膜とからなることを特徴とする、ナノドットを利用した柱状ピン止め中心を有する超伝導薄膜。

IPC (4)：

H01L 39/24 ZAA ,  H01B 12/06 ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/00

FI (4)：

H01L 39/24 ZAA B ,  H01B 12/06 ,  H01B 13/00 565 D ,  H01L 39/00 G

F-Term (24)：

4M113AD35 ,  4M113AD36 ,  4M113AD37 ,  4M113BA01 ,  4M113BA04 ,  4M113BA07 ,  4M113BA14 ,  4M113BA15 ,  4M113CA35 ,  4M113CA36 ,  5G321AA02 ,  5G321AA03 ,  5G321AA04 ,  5G321AA05 ,  5G321AA06 ,  5G321AA07 ,  5G321CA03 ,  5G321CA04 ,  5G321CA21 ,  5G321CA27 ,  5G321DC23 ,  5G321DC24 ,  5G321DC25 ,  5G321DC27

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平2-237179