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J-GLOBAL ID：200903033614654695

ガスセンサ用の膜とその製造方法

Inventor： 岡崎 慎司 ,  中川 英元 ,  朝倉 祝治 ,  富内 芳昌 ,  辻 伸彦
Applicant, Patent owner： 岡崎 慎司 ,  中川 英元 ,  朝倉 祝治 ,  富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001370062
Publication number (International publication number)：2003166938
Application date： Dec. 04, 2001
Publication date： Jun. 13, 2003
Summary：

【要約】【課題】 0°C以下の低温で充分な感度を有し、安全かつ高い信頼性と素子寿命を備えたガスセンサ用の膜とその製造方法を提供する。【解決手段】 水素又は含水素化合物ガスを解離吸着する触媒金属3と、触媒金属中で生成した水素原子により還元される固体化合物半導体4との混合層からなる膜34を有する素子と、還元による前記固体化合物半導体の光吸収の変化を検出する光学手段とを備えたガスセンサ用の膜であって、固体化合物半導体のゾルゲル溶液中に、触媒金属のジニトロジアンミン化合物の硝酸塩水溶液を混合し、分子レベルで均一に分散させたゾルゲル溶液を、基板に塗布焼成してなる膜とし、前記ゾルゲル溶液を、ガラス基板または光ファイバ用のコアに塗布して所定時間室温乾燥した後、250〜400°Cで所定時間焼成する。

Claim (excerpt)：

水素又は含水素化合物ガスを解離吸着する触媒金属と、該触媒金属中の前記解離吸着により生成した水素原子により還元されると共に該水素原子が存在しなくなった場合に還元される前の状態に戻る固体化合物半導体との混合層からなる膜を有する素子と、還元による前記固体化合物半導体の光吸収の変化を検出する光学手段とを備えたガスセンサ用の膜であって、前記固体化合物半導体のゾルゲル溶液中に、前記触媒金属のジニトロジアンミン化合物の硝酸塩水溶液を混合し、分子レベルで均一に分散させたゾルゲル溶液を、基板に塗布焼成してなる膜とすることを特徴とするガスセンサ用の膜。

IPC (5)：

G01N 21/75 ,  C03C 17/22 ,  C03C 25/24 ,  G01N 21/59 ,  G01N 21/77

FI (5)：

G01N 21/75 Z ,  C03C 17/22 Z ,  G01N 21/59 M ,  G01N 21/77 A ,  C03C 25/02 B

F-Term (27)：

2G054AA01 ,  2G054CA04 ,  2G054EA04 ,  2G054FA27 ,  2G059AA01 ,  2G059BB01 ,  2G059CC02 ,  2G059EE02 ,  2G059GG00 ,  2G059GG01 ,  2G059HH01 ,  2G059HH06 ,  2G059JJ13 ,  2G059JJ17 ,  2G059JJ22 ,  2G059KK01 ,  4G059AA08 ,  4G059AB11 ,  4G059AC30 ,  4G059DA03 ,  4G059DA06 ,  4G059DB05 ,  4G059EA01 ,  4G059EA04 ,  4G060AC14 ,  4G060AD26 ,  4G060AD42

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 触媒体およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-082576   Applicant：松下電器産業株式会社
• 水素発生方法及び水素発生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-003800   Applicant：株式会社豊田中央研究所