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J-GLOBAL ID：200903033614745879

シロキサニル・ホスフェートの製造方法

Inventor： 野村 俊彦
Applicant, Patent owner： 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994024778
Publication number (International publication number)：1995216091
Application date： Jan. 27, 1994
Publication date： Aug. 15, 1995
Summary：

【要約】【目的】 塩基性触媒による高粘度のジオルガノポリシロキサンの製造工程における該塩基性触媒の中和剤として好適に用いることができる高粘度で低リン酸含有率のシロキサニル・ホスフェートを温和な条件下で速やかに製造する方法を提供する。【構成】 (A)リン酸と(B)一般式:【化1】で表されるジオルガノシロキサンと必要に応じて、(C)一般式:【化2】で表されるジオルガノシロキサンとを反応させることを特徴とする、一般式:【化3】で表されるシロキサニル・ホスフェートの製造方法(上式中、R1は一価炭化水素基、R2は水酸基または一価炭化水素基であり、但しR2の少なくとも1個は水酸基であり、xは1以上の整数、yは1以上の整数、zは1以上の整数、aは1〜3の整数)。

Claim (excerpt)：

(A)リン酸と(B)一般式:【化1】(式中、R1は一価炭化水素基であり、xは1以上の整数である。)で表されるジオルガノシロキサンと必要に応じて、(C)一般式:【化2】(式中、R1は一価炭化水素基であり、yは1以上の整数である。)で表されるジオルガノシロキサンとを反応させることを特徴とする、一般式:【化3】(式中、R1は一価炭化水素基であり、R2は水酸基または一価炭化水素基であり、但し、R2の少なくとも1個は水酸基であり、zは1以上の整数であり、aは1〜3の整数である。)で表されるシロキサニル・ホスフェートの製造方法。

IPC (2)：

C08G 77/395 NUF ,  C07F 9/09