Pat

J-GLOBAL ID：200903033625908052

半導体発光素子およびその製造方法

Inventor： 菅 原 秀 人
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 吉武 賢次 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001018915
Publication number (International publication number)：2002222990
Application date： Jan. 26, 2001
Publication date： Aug. 09, 2002
Summary：

【要約】【課題】 インジウムを含んだ窒化物半導体を用い発光特性の優れた半導体発光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 第1の窒化物半導体層と、前記第1の窒化物半導体層の上に設けられ、第2の窒化物半導体層と前記第2の窒化物半導体層の上に積層された第3の窒化物半導体層とを有する複数の島状積層体と、前記複数の島状積層体を埋め込んで前記第1の窒化物半導体層の上に形成された第4の窒化物半導体層と、を備え、前記第2の窒化物半導体層は、インジウムを含有し、前記第3の窒化物半導体層は、アルミニウムを含有する半導体発光素子を提供する。

Claim (excerpt)：

第1の窒化物半導体層と、前記第1の窒化物半導体層の上に設けられ、第2の窒化物半導体層と前記第2の窒化物半導体層の上に積層された第3の窒化物半導体層とを有する複数の島状積層体と、前記複数の島状積層体を埋め込んで前記第1の窒化物半導体層の上に形成された第4の窒化物半導体層と、を備え、前記第2の窒化物半導体層は、インジウムを含有し、前記第3の窒化物半導体層は、アルミニウムを含有することを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205

F-Term (22)：

5F041AA03 ,  5F041AA12 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA22 ,  5F041CA34 ,  5F041CA39 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CB03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53