半導体ウエハ及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：豊田善雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992040603
Publication number (International publication number)：1993217824
Application date： Jan. 31, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】デバイスとした時に、絶縁層12a,12b上の単結晶半導体層13a,13bを縦方向に利用できる半導体ウエハを容易に製造する。【構成】多孔質単結晶半導体の仮基板14上に単結晶半導体層13a(又は13b)をエピタキシャル成長させ、この単結晶半導体層13a(又は13b)を基体11の積層面に貼り合わせて仮基板14をエッチング除去することで単結晶半導体層13a,13bを積層する。【効果】単結晶半導体層13a,13bを絶縁層12a,12bを介して積層した半導体ウエハが容易に製造できる。

Claim (excerpt)：

基体上に、複数の非多孔質単結晶半導体層が絶縁層を介して積層されていることを特徴とする半導体ウエハ。

IPC (4)：

H01L 21/02 , H01L 21/20 , H01L 21/304 321 , H01L 27/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平3-250666
特開平3-109731
特開平3-055823

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