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J-GLOBAL ID：200903033630971650

MOS電界効果型トランジスタ及びその製造方法、並びにそのMOS電界効果型トランジスタを用いた半導体装置

Inventor： 和田 俊男 ,  岩佐 昇一
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993027462
Publication number (International publication number)：1994224416
Application date： Jan. 21, 1993
Publication date： Aug. 12, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体ウエハの反りや結晶欠陥をなくし安定したゲート絶縁膜を有し、更に実効膜厚が薄くトランジスタの微細化に有利であり、高い電源電圧で駆動し得るゲート絶縁膜を有するMOS電界効果型トランジスタ及びその製造方法を提供する。【構成】 MOS電界効果型トランジスタは、第一導電型半導体基板1上にチャンネル領域に相当する所定距離Lだけ離間して形成された一対の第二導電型拡散層2と、この一対の第二導電型拡散層2の間に形成されている前記チャンネル領域上に、下層シリコン酸化膜3,シリコン窒化膜4及び上層シリコン酸化膜5を順次形成した積層構造で構成されるゲート絶縁膜8と、ゲート絶縁膜8上に形成されたゲート電極6とを有する。

Claim (excerpt)：

第一導電型半導体基板上にチャンネル領域に相当する所定距離だけ離間して形成された一対の第二導電型拡散層と、この一対の第二導電型拡散層の間に形成されている前記チャンネル領域上に、下層シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、上層シリコン酸化膜を順次形成した積層構造で構成されるゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を有するMOS電界効果型トランジスタにおいて、前記シリコン窒化膜の形成方法は化学的気相成長法であることを特徴とするMOS電界効果型トランジスタ。