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J-GLOBAL ID：200903033634158872

レチクル及びそれを使用した半導体装置の製造方法

Inventor： 二村 誠也
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992135479
Publication number (International publication number)：1993333526
Application date： May. 28, 1992
Publication date： Dec. 17, 1993
Summary：

【要約】【目的】 レチクル及びそれを使用した半導体装置の製造方法に関し,パターン形状検査の信頼性の向上と検査時間の短縮を目的とする。【構成】 ショット領域1の四隅のスクライブライン領域3に同一形状のテストパターン2a〜2dの形成されてなるレチクルにより構成する。また,ショット領域1の四隅のスクライブライン領域3に同一形状のテストパターン2a〜2dの形成されたレチクルを使用し,ステップアンドリピートにより四つのテストパターン2a〜2dを近接して配置し,四つのテストパターン2a〜2dを同時に観察系視野に入れて観察し,パターン形状検査を行うように構成する。

Claim (excerpt)：

ショット領域(1) の四隅のスクライブライン領域(3) に同一形状のテストパターン(2a 〜2d) の形成されてなることを特徴とするレチクル。

IPC (2)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 301 V ,  H01L 21/30 301 M