Pat

J-GLOBAL ID：200903033635774585

非単結晶半導体製造装置

Inventor： 小塚 開
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991325800
Publication number (International publication number)：1993160043
Application date： Dec. 10, 1991
Publication date： Jun. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】 非単結晶半導体製造装置を、高性能なデバイスを作成することができるようにする。【構成】 容量結合型高周波プラズマCVD装置10は、(1)N層成膜室13内の第1の高周波電極191 のガラス基板30の搬送方向の長さが、N層成膜室13のガラス基板30の搬送方向の長さとほぼ同じである点、(2)第1の高周波電極191 の周囲に設けられた第1のシールド201 を接地側または高周波電位側に切り替える第1のスイッチ211を有する点で、従来の容量結合型高周波プラズマCVD装置と異なる。なお、I層成膜室14およびP層成膜室15についても同様である。

Claim (excerpt)：

非単結晶半導体膜が基板上に成膜される真空的に独立した成膜室を少なくとも2つ以上含む非単結晶半導体製造装置において、前記一の成膜室で前記非単結晶半導体膜が成膜された前記基板をプラズマ雰囲気中に置いたまま前記他の成膜室に搬送する手段を含むことを特徴とする非単結晶半導体製造装置。

IPC (6)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/54 ,  H01L 29/784 ,  H01L 31/04

FI (2)：

H01L 29/78 311 F ,  H01L 31/04 T

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭58-169980
  
• 特開昭59-072776