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J-GLOBAL ID：200903033641828034

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 田崎 耕司 ,  吉田 育生 ,  菊池 卓 ,  山口 栄次 ,  三輪 孝志
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997245123
Publication number (International publication number)：1999087424
Application date： Sep. 10, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 金属バンプに応力を集中させることなく、かつ絶縁材料と半導体チップとの剥離などを防止し、接続信頼性を大幅に向上する。【解決手段】 フリップチップ接続が行われる半導体装置1は、半導体チップ2表面とプリント配線基板5表面との隙間にエポキシ系樹脂などの有機成分71 に65%程度の含有率でシリカフィラーからなるフィラー粒子72 が混合した絶縁樹脂7が充填されている。絶縁樹脂7は、半導体チップ2側からプリント配線基板5側にかけてフィラー粒子72 の含有率が小さく変化しており、それに伴い熱膨張係数も連続的に変化する状態となる。よって、絶縁樹脂7によってはんだバンプ4との熱膨張係数の整合性が得られ、半導体チップ2との接着界面ではフィラー粒子72 の含有率が高いことによって熱膨張係数が小さくなった絶縁樹脂7により熱膨張係数の整合性が得られることになる。

Claim (excerpt)：

半導体チップの電極に金属バンプが形成され、前記金属バンプをプリント配線基板の電極に電気的に接続する半導体装置であって、前記半導体チップと前記プリント配線基板との隙間に、前記半導体チップ側では前記半導体チップと同等程度に熱膨張係数が小さく、前記プリント配線基板側に近ずくにしたがって熱膨張係数が大きくなり、全体の熱膨張係数が前記金属バンプの熱膨張係数と同等程度となる絶縁樹脂を介在させたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60

FI (2)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/60 311 Q