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J-GLOBAL ID：200903033643181348

薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに液晶表示装置

Inventor： 青森 繁 ,  田中 淳 ,  中谷 喜紀 ,  三橋 克典
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996222917
Publication number (International publication number)：1998065178
Application date： Aug. 23, 1996
Publication date： Mar. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】 薄型・軽量で耐衝撃性に優れ、高画質・高解像度の表示が得られる液晶表示装置を提供する。【解決手段】 低温・低エネルギーのレーザー照射で多結晶化が可能なSiGe膜を用いて、TFTの半導体層3を形成する。SiGe膜の多結晶化の際に、レーザー光の照射エネルギー密度を120mJ/cm2以上200mJ/cm2以下とすることにより、基板温度200°C以下で多結晶化を行うことができる。

Claim (excerpt)：

樹脂基板上に、ゲート電極と半導体層とがゲート絶縁膜を挟んで設けられ、該半導体層がレーザー光照射により多結晶化されたシリコンゲルマニウム膜からなる薄膜トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/12

FI (3)：

H01L 29/78 627 G ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/12 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置及び表示装置駆動回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-049155   Applicant：シャープ株式会社
• 特開昭63-168021