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J-GLOBAL ID：200903033645267509

半導体装置の製造方法

Inventor： 小田 典明
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 後藤 洋介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997290589
Publication number (International publication number)：1999126821
Application date： Oct. 23, 1997
Publication date： May. 11, 1999
Summary：

【要約】【課題】 配線ピッチが小さくても配線容量が小さい半導体装置を製造できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 HSQを含む層間絶縁膜であるHSQ6上に第2の高融点金属、第2のアルミニウム、および第2の窒化チタンからなる第2の配線層を形成した後に、その半導体装置に水素イオン13を注入する工程と、その半導体装置をアニールする工程とを有している。

Claim (excerpt)：

水素化シルセスキオキサンを含む層間絶縁膜を介して積層された複数の配線層を有する半導体装置の製造方法において、前記層間絶縁膜上に前記配線層を形成した後に、その半導体装置に水素イオンを注入する工程と、その半導体装置をアニールする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316

FI (4)：

H01L 21/90 K ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/265 Y