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J-GLOBAL ID：200903033650588194

SACVD酸化物膜とPECVD酸化物膜との間に良好な界面を形成する方法及び装置

Inventor： ステュアード ロブレス ,  シヴァラマクリシュナン ヴィスウェスワレン ,  マリア ギャリアノ ,  ヴィクトリア キスカート
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996308218
Publication number (International publication number)：1997172008
Application date： Nov. 19, 1996
Publication date： Jun. 30, 1997
Summary：

【要約】【課題】 2つの層の界面を向上させ、また、2つのプロセスをインシチュウに又は連続に、同じチャンバ内でクリーニングのステップを介在させずに行う。【解決手段】 本発明は、SACVDプロセスにおいて堆積に係る圧力を減少させるための方法及び装置を提供する。また、本発明は、これに引続き、弱い層間界面を形成する不要な反応を防止するような方法で、PECVDプロセスの圧力を上昇させるための方法及び装置を提供する。特に、珪素を含有するガス(好ましくはTEOS)及び/又はキャリアガス(好ましくはヘリウム)の流入を停止することにより、SACVDプロセスにおける堆積のための圧力が低下し、他方、酸素系の反応ガスの流入の希釈を行い、例えば、オゾンの流入を酸素で希釈する。圧力の降下は同時に開始する。オゾンを酸素で希釈することにより、プロセスの終わりで不要な反応物との反応が制限される。

Claim (excerpt)：

準大気圧化学気相堆積(SACVD)プロセスで圧力を降下させる方法であって、(1a)チャンバ内に所定の圧力で、キャリアガスに伴われる珪素含有ガスの流入と、オゾンの流入とを、形成するステップと、(1b)基板上に層を堆積するステップと、(1c)前記珪素含有ガス及び前記キャリアガスの流入を停止するステップと、(1d)オゾンの流入を、オゾンより反応性の低いガスで希釈するステップと、(1e)前記チャンバ内の圧力を低下させるステップとを有する方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31

FI (2)：

H01L 21/316 M ,  H01L 21/31 C