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J-GLOBAL ID：200903033652399240

半導体加速度センサ

Inventor： 伊藤 達也
Applicant, Patent owner： 株式会社フジクラ
Agent (1)： 伊丹 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992105472
Publication number (International publication number)：1993281254
Application date： Mar. 31, 1992
Publication date： Oct. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】簡単な構成でセンサ全体のオフセット電圧温度特性を補償することを可能とした集積化型の半導体加速度センサを提供することを目的とする。【構成】シリコン基板11に形成された感歪ゲージ抵抗14を組合わせて感歪抵抗ブリッジ1が構成され、この感歪抵抗ブリッジの出力を増幅する差動型演算増幅回路OP2 ,OP3 を用いた出力増幅回路3が同じ基板11に集積形成された半導体加速度センサであって、差動型演増幅回路OP2 ,OP3 内に、チップ段階で外部からそのオフセット電圧の調整が可能な補償用回路34を設けて、その抵抗R13の抵抗値を調整することにより、センサ全体のオフセット電圧の温度補償を行う。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、この基板に形成された感歪ゲージ抵抗を組合わせて構成された感歪抵抗ブリッジと、前記基板に形成された前記感歪抵抗ブリッジの出力を増幅する差動型演算増幅回路とを有する半導体加速度センサにおいて、前記差動型演算増幅回路に、チップ段階で外部からそのオフセット電圧の調整が可能な補償用回路が設けられていることを特徴とする半導体加速度センサ。

IPC (2)：

G01P 15/12 ,  H01L 29/84