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J-GLOBAL ID：200903033653066580
焦電型赤外線薄膜素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤本 英夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994331688
Publication number (International publication number)：1996167740
Application date： Dec. 10, 1994
Publication date： Jun. 25, 1996
Summary：
【要約】【目的】 生産過程における膜の定着が良好で歩留りが高くコスト安な焦電型赤外線薄膜素子を提供する。【構成】 Si(100)基板2上に、CeO2 を含む(100)方向に配向したバッファ層3を介してPt膜4を(100)方向に配向させ、その基板上に、組成式がPbZrx Ti1-x O3 で表わされ、そのxの範囲が0≦x≦0.52であり、かつ分極方向が(001)方向である焦電体薄膜5を析出させ、その焦電体薄膜5上に赤外透過金属材料よりなる受光部6を設け、受光部下部の基板を受光部より大きく除去する。
Claim (excerpt)：
Si(100)基板上に、CeO2 を含む(100)方向に配向したバッファ層を介してPt膜を(100)方向に配向させ、その基板上に、組成式がPbZrx Ti1-x O3 で表わされ、そのxの範囲が0≦x≦0.52であり、かつ分極方向が(001)方向である焦電体薄膜を析出させ、その焦電体薄膜上に赤外透過金属材料よりなる受光部を設けてなり、かつその受光部下部の基板を受光部より大きく除去してなることを特徴とする焦電型赤外線薄膜素子。
IPC (3)：
H01L 37/02
, G01J 1/02
, G01J 5/02
