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J-GLOBAL ID：200903033653365960

成膜方法

Inventor： 佐野 佳克 ,  曲 正敏 ,  上野 正昭
Applicant, Patent owner： 国際電気株式会社
Agent (1)： 石戸 元 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998217669
Publication number (International publication number)：2000049096
Application date： Jul. 31, 1998
Publication date： Feb. 18, 2000
Summary：

【要約】【課題】 簡易な構成により、上下ウェハの膜厚を均一化できる成膜方法を得る。【解決手段】 ウェハW1,W2を上下ヒータにより加熱するための上側ヒータ2と下側ヒータ3とを設け、これらヒータのいずれか一方に対して設定温度を設定して、該ヒータのパワー出力値を定めるよう制御するとともに、求められたパワー出力値に所定の調整値に基づく調整を行って他方のヒータのパワー出力値を定めるようにした。

Claim (excerpt)：

枚葉炉に搬入された上下2枚のウェハに成膜処理を行う成膜方法において、前記ウェハを上下ヒータにより加熱するための上側ヒータと下側ヒータとを設け、これらヒータのいずれか一方に対して加熱設定温度を設定して、該ヒータのパワー出力値を定めるよう制御するとともに、求められたパワー出力値に所定の調整値に基づく調整を行って他方のヒータのパワー出力値を定めるようにしてなる成膜方法。

F-Term (7)：

5F045BB03 ,  5F045BB08 ,  5F045DP11 ,  5F045EK22 ,  5F045EK25 ,  5F045EK27 ,  5F045GB16