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J-GLOBAL ID：200903033670384765

樹脂薄膜の形成方法

Inventor： 舘野 晶彦
Applicant, Patent owner： 積水化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992234431
Publication number (International publication number)：1994082618
Application date： Sep. 02, 1992
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 その膜厚分布が小さいカラーレジスト膜等の樹脂薄膜の形成方法を提供すること。【構成】 チャンバー10内に配置された基板2上に顔料分散レジスト(樹脂溶液)を塗布し、かつこの塗布膜面に対し略垂直な軸を中心にして上記基板2を回転させその塗布膜厚を略均一にした後、これを乾燥させて基板2上に樹脂薄膜を形成する方法であって、上記チャンバー10内の空気中に含まれる溶媒量をe、チャンバー内温度における空気の飽和溶媒量をEとしたとき、チャンバー10内のe/E×100(%)を70%以上に設定するか又はチャンバー10内の気圧を1atm以上に設定しこの条件下で樹脂薄膜を形成することを特徴とする。このような条件に設定することにより塗布膜の乾燥速度が遅くなるため、基板2の回転中において塗布膜の粘度上昇が起こり難くなりその膜厚分布を小さくすることが可能となる。

Claim (excerpt)：

チャンバー内に配置された基板上に樹脂と溶媒とを主成分とする樹脂溶液を塗布し、かつ、この塗布膜面に対し略垂直な軸を中心にして上記基板を回転させその塗布膜厚を略均一にした後、これを乾燥させて基板上に樹脂薄膜を形成する方法において、上記チャンバー内の空気中に含まれる上記溶媒量をe、チャンバー内温度における空気の飽和溶媒量をEとしたとき、上記チャンバー内のe/E×100(%)を70%以上に設定しこの条件下において上記樹脂薄膜を形成することを特徴とする樹脂薄膜の形成方法。

IPC (2)：

G02B 5/20 101 ,  B05D 1/40