半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井桁貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994014734
Publication number (International publication number)：1995221092
Application date： Feb. 09, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：

【要約】【目的】 SiOX NY からなる絶縁膜の形成方法に関し,絶縁膜の低温処理,高窒素濃度化,窒素濃度分布の制御及び欠陥の減少を目的とする。【構成】 Si基板1表面にハロゲンを含有するSiO2 層2を形成した後,SiO2 層2を窒化してシリコンオキシナイトライド層2aに変換する。また,Si基板表面に窒化シリコン層を形成したのち,酸素と窒素の混合ガス又はNO若しくはN2 Oとの混合ガス中で熱処理して,その窒化シリコン層をシリコンオキシナイトライド層に変換する工程とを有するように構成する。

Claim (excerpt)：

シリコンオキシナイトライド層(2a)を絶縁膜として有する半導体装置の製造方法において,Si基板(1)表面にハロゲンを含有するSiO2 層(2)を形成する工程と,該ハロゲンを含有するSiO2 層(2)を窒化して該シリコンオキシナイトライド層(2a)に変換する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/318 , H01L 21/316

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平1-134936
特開昭49-078483
半導体装置の絶縁膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-272969 Applicant：沖電気工業株式会社

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