Pat

J-GLOBAL ID：200903033682133725

光電変換素子の作製方法、光電変換素子及び光電池

Inventor： 塚原 次郎
Applicant, Patent owner： 富士写真フイルム株式会社
Agent (1)： 高石 橘馬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001389011
Publication number (International publication number)：2003187882
Application date： Dec. 21, 2001
Publication date： Jul. 04, 2003
Summary：

【要約】【課題】 優れた変換効率を示す光電変換素子の作製方法、この方法で作製した光電変換素子、並びにこの光電変換素子を用いた光電池を提供する。【解決手段】 色素が吸着した半導体微粒子を含有する感光層と導電性支持体とを有する光電変換素子を作製する方法。半導体微粒子をスカンジウム、イットリウム、ランタノイド、ジルコニウム、ハフニウム、タンタル、インジウム、ゲルマニウム及びスズからなる群から選ばれる金属のアルコキシドの水溶液で処理した後、前記半導体微粒子に色素を吸着させることを特徴とする光電変換素子の作製方法。

Claim (excerpt)：

色素が吸着した半導体微粒子を含有する感光層と導電性支持体とを有する光電変換素子を作製する方法であって、前記半導体微粒子をスカンジウム、イットリウム、ランタノイド、ジルコニウム、ハフニウム、タンタル、インジウム、ゲルマニウム及びスズからなる群から選ばれる金属のアルコキシドの水溶液で処理した後、前記半導体微粒子に色素を吸着させることを特徴とする光電変換素子の作製方法。

IPC (2)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z

F-Term (11)：

5F051AA14 ,  5F051AA20 ,  5F051FA01 ,  5F051GA02 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB02 ,  5H032BB04 ,  5H032BB07 ,  5H032EE02