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J-GLOBAL ID：200903033688506574

強誘電体素子

Inventor： 島田 勝人
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992001444
Publication number (International publication number)：1993190798
Application date： Jan. 08, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】 PZT強誘電体キャパシタを有する不揮発性半導体記憶装置に於いて、書き換え回数1015回以上に於いても、強誘電体キャパシタの電極近傍の領域の伝導型の反転を防止することにより、空間電荷領域の発生を無くし、スイッチング電荷の大きさの低下を防ぎ、更にリーク電流の増大を防ぐことを目的とする。【構成】 強誘電体キャパシタの積層構造を、p型、p-型、p型あるいはn型、n-型、n型として、強誘電体膜の電極界面の伝導型を中央部と同型とし且つキャリヤ濃度を、中央部より増やす。

Claim (excerpt)：

強誘電体が2つの電極によって挟まれた構造を有する強誘電体素子に於て、前記強誘電体の伝導型がp型であり、前記強誘電体の正孔濃度が前記2つの電極近傍で濃く、前記強誘電体の中央部で薄いことを特徴とする強誘電体素子。

IPC (4)：

H01L 27/108 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2)：

H01L 27/10 325 M ,  H01L 29/78 371