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J-GLOBAL ID:200903033692536178
半導体集積回路装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
筒井 大和
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993035325
Publication number (International publication number):1994251590
Application date: Feb. 24, 1993
Publication date: Sep. 09, 1994
Summary:
【要約】【目的】 ワード線駆動回路の配置を変えることによりメモリセルサイズを縮小し、メモリの集積度を向上することができる半導体集積回路装置を提供する。【構成】 電気的に書込み・消去が可能な不揮発性メモリを備えたEPROMまたはフラッシュEPROMであって、メモリマットが、複数のワード線(W0 〜W3 )と複数のデータ線(D0 〜D3 )、これらのワード線とデータ線の交点に設けられた複数の不揮発性メモリ(Q00〜Q33)から構成されている。そして、偶数番目のワード線(W0 ,W2 )を駆動するワード線駆動回路(WD0,WD2)は、ワード線(W0 ,W2 )の一方の端部とXデコーダとの間に配置され、一方奇数番目のワード線(W1 ,W3 )を駆動するワード線駆動回路(WD1,WD3)は、ワード線(W1 ,W3 )の他方の端部に配置されている。
Claim (excerpt):
複数のワード線と、該複数のワード線の各々に接続され、該ワード線を所定電位に設定する複数のワード線駆動回路と、該複数のワード線駆動回路を制御するワード線デコーダ回路とからなる半導体集積回路装置であって、偶数番目のワード線に接続されるワード線駆動回路を前記ワード線の一方の端部と前記ワード線デコーダ回路との間に配置し、かつ奇数番目のワード線に接続されるワード線駆動回路を前記ワード線の他方の端部に配置するか、またはこれとは逆に配置することを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2):
FI (2):
G11C 17/00 309
, H01L 27/10 434
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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半導体記憶装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-097953
Applicant:沖電気工業株式会社
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特開平2-002668
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特開昭58-032295
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