結晶窒化ガリウムベースの化合物の成長方法及び窒化ガリウムベース化合物を含む半導体デバイス

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山口朔生
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006013960
Publication number (International publication number)：2006237582
Application date： Jan. 23, 2006
Publication date： Sep. 07, 2006
Summary：

【課題】基板との格子不整合を補償出来かつ紫外線放射の吸収を減少するような改良された特性を現わす、結晶GaNベース材料を成長する方法を提供すること。【解決手段】結晶GaNベース材料を形成する方法において、第1の核生成層が、第1の温度で基板上に形成され、それに続いて、第1の温度とは異なる第2の温度で第2の核生成層を形成する。第1と第2の核生成層は、AlxInyGa(1-x-y)Nよりなる。引き続いて、結晶GaNベース化合物の層が、第2の核生成層上にエピタキシ成長される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

GaNベース層を形成する方法であって、第1の処理温度で基板上に第1の核生成層を形成することと、第1の処理温度よりも低い第2の処理温度で第1の核生成層上に第2の核生成層を形成することと、第2の核生成層上にエピタキシャルGaNベース層を形成することと、を有する方法。

IPC (5)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/323 , H01L 29/812 , H01L 21/338

FI (4)：

H01L21/205 , H01L33/00 C , H01S5/323 610 , H01L29/80 B

F-Term (38)：

5F041AA40 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC12 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045AF14 , 5F045BB12 , 5F045CA02 , 5F045CA07 , 5F045CA09 , 5F045DA53 , 5F045DA62 , 5F045DA67 , 5F045EB15 , 5F045EE12 , 5F045EK26 , 5F045EK27 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ10 , 5F102GL04 , 5F102HC01 , 5F173AH22 , 5F173AP05 , 5F173AR82

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

発光ダイオード、窒化ガリウム結晶および窒化ガリウム結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-199778 Applicant：日立電線株式会社
半導体発光素子及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-219179 Applicant：日本電信電話株式会社
窒化物系化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-196773 Applicant：坂井田敏昭

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