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J-GLOBAL ID：200903033709983106
MOSトランジスタ及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
煤孫 耕郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993280565
Publication number (International publication number)：1995115195
Application date： Oct. 14, 1993
Publication date： May. 02, 1995
Summary：
【要約】【目的】 少ないマスク数でLDD構造のMOS型トランジスタを制御性良く実現し、かつドレイン接合容量の低減を図る。【構成】 P型シリコン基板(1-a)上にP型ウェル(2)を形成後、フィールド絶縁膜(3)とチャネルストッパー(17)を形成する。その後第1酸化膜(4-a)と第2酸化膜(4-b)を堆積し、それらをパターニングする。そしてイオン注入によりチャネル注入領域(5)を形成する。チャネル注入領域(5)に対して自己整合的に逆テーパー型のゲート電極(8)が形成される。斜め回転イオン注入によりN-型LDD領域(10)が形成され、基板に対して垂直な方向からのイオン注入によりN+型ソース・ドレイン領域(11)が形成される。
Claim (excerpt)：
ゲート電極のチャネル方向の寸法がゲート電極の上部から下部にかけて短くなっていく逆テーパー型のゲート電極を有するMOSトランジスタ。
IPC (3)：
H01L 29/78
, H01L 21/265
, H01L 21/336
H01L 29/78 301 G
, H01L 21/265 G
, H01L 29/78 301 P
