CMOSイメ-ジセンサ及びその駆動方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：谷義一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999129154
Publication number (International publication number)：1999355662
Application date： May. 10, 1999
Publication date： Dec. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】 CMOSイメージセンサを構成する画素アレイの構造及び画素アレイを駆動する方法を提供すること。【解決手段】複数のフォトダイオード101,102と、制御信号Tx1,Tx2に応答して複数のフォトダイオード101,102から出力される光電荷を単一センシングノードAへ選択的に伝達するための複数の伝達手段M21,M22と、単一センシングノードAをリセットさせるための共通リセット手段M1と、単一センシングノードAの電圧レベルに対応される電気的信号を出力するための共通出力手段M3とを含む単位画素を備える。共通リセット手段M1は単一センシングノードAのリセットレベルを決定する。CMOSイメージセンサは相互連関された二重サンプリング方式で電気的信号をサンプルして、最終イメージ値を外部ディバイスへ出力する。

Claim (excerpt)：

CMOSイメージセンサにおいて、任意の物体から投射光を入力されて光電荷を生成する複数のフォトダイオードと、上記複数のフォトダイオードに対応され、外部制御器からの制御信号に応答して上記複数のフォトダイオードから出力される光電荷を単一センシングノードへ伝達するための複数の伝達手段と、上記単一センシングノードをリセットさせるための共通リセット手段と、上記単一センシングノードの電圧レベルに対応される電気的信号を出力するための共通出力手段とを含む単位画素を備え、上記制御信号は上記複数のフォトダイオードからの光電荷を選択的に上記単一センシングノードへ伝達するために上記複数の伝達手段を制御し、上記共通リセット手段は上記複数のフォトダイオードのそれぞれに対応される上記単一センシングノードのリセットレベルを決定し、上記CMOSイメージセンサは相互連関された二重サンプリング方式で上記電気的信号をサンプルして、最終イメージ値を外部ディバイスへ出力することを特徴とするCMOSイメージセンサ。

IPC (2)：

H04N 5/335 , H01L 27/146

FI (2)：

H04N 5/335 E , H01L 27/14 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

固体撮像装置と画像撮像装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-197471 Applicant：キヤノン株式会社
特開平4-033482
能動画素画像センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-262605 Applicant：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション

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