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J-GLOBAL ID:200903033725201436
CdSxSe(1-x)半導体微結晶含有ガラスの製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
中村 静男 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993068731
Publication number (International publication number):1994279053
Application date: Mar. 26, 1993
Publication date: Oct. 04, 1994
Summary:
【要約】【構成】 Cd,SおよびSe元素を含有する酸性溶液と、最終的にガラスとなる化合物成分とを混合した後、ゲル化・乾燥させてゲル固化体を得て、該ゲル固化体を還元雰囲気内で熱処理してガラスマトリックス中にCdS<SB>x </SB>Se<SB>(1-x) </SB>(但し、0<x<1である)半導体微結晶を析出させることを特徴とするCdS<SB>x</SB>Se<SB>(1-x) </SB>半導体微結晶含有ガラスの製造方法。【効果】 優れた非線形光学特性を有するCdS<SB>x </SB>Se<SB>(1-x) </SB>半導体微結晶含有ガラスを得ることができる。
Claim (excerpt):
Cd,SおよびSe元素を含有する酸性溶液と、最終的にガラスとなる化合物成分とを混合した後、ゲル化・乾燥させてゲル固化体を得て、該ゲル固化体を還元雰囲気内で熱処理してガラスマトリックス中にCdS<SB>x </SB>Se<SB>(1-x) </SB>(但し、0<x<1である)半導体微結晶を析出させることを特徴とするCdS<SB>x </SB>Se<SB>(1-x) </SB>半導体微結晶含有ガラスの製造方法。
IPC (3):
C03C 10/00
, C03B 8/02
, G02F 1/35 505
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