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J-GLOBAL ID：200903033731809217
半導体光集積素子およびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994170708
Publication number (International publication number)：1996037341
Application date： Jul. 22, 1994
Publication date： Feb. 06, 1996
Summary：
【要約】【目的】 素子間の光結合効率が高い、半導体光集積素子を提供する。【構成】 選択成長により集積化した多重量子井戸ファブリペロー型レーザ40と多重量子井戸スポットサイズ変換用テーパ型導波路50の光軸を水平に形成する。【効果】 半導体光集積素子において、素子間の光結合効率を高くでき、導波光の対称性、しきい電流特性および消光特性等の向上が可能となる。
Claim (excerpt)：
厚さの異なる複数の光導波路を光軸方向に結合した半導体光素子において、各光導波路の中心軸が水平に結合している事を特徴とする半導体光集積素子。
IPC (2)：
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