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J-GLOBAL ID：200903033754602210

半導体レーザ加熱装置

Inventor： 山根 茂樹 ,  竹中 義彰 ,  長安 同慶
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000064888
Publication number (International publication number)：2001252776
Application date： Mar. 09, 2000
Publication date： Sep. 18, 2001
Summary：

【要約】【課題】 レーザ光を直接ワークに照射する方式で半導体レーザ部の破損を防止し、再現性のある安定した良好な接合、溶接の半導体レーザ加熱装置を実現する【解決手段】 電源部1、半導体レーザ部2、レンズ部3で構成されており、照射レーザ光4はワーク5に対し法線から角度θ°に傾け取り付けてある。半導体レーザ部2から照射レーザ光4はワーク5に対し角度θ斜めに照射するため、反射光は半導体レーザ部2に戻ることは無い。したがって、反射光による半導体レーザ部の破損を防止することができる。

Claim (excerpt)：

電源部と、前記電源部からエネルギを供給されてレーザ光を出力する半導体レーザ部と、前記レーザ光を被加工物へ集光するレンズ部とを備え、前記レーザ光を被加工物に対して斜めに照射する半導体レーザ加熱装置。

IPC (3)：

B23K 26/00 ,  H01L 21/268 ,  H01S 5/062

FI (5)：

B23K 26/00 Q ,  B23K 26/00 N ,  H01L 21/268 J ,  H01L 21/268 T ,  H01S 5/062

F-Term (11)：

4E068CA02 ,  4E068CA17 ,  4E068CA18 ,  4E068CB09 ,  4E068CC01 ,  5F073AB27 ,  5F073BA09 ,  5F073FA05 ,  5F073FA11 ,  5F073GA03 ,  5F073GA12