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J-GLOBAL ID：200903033760143252

半田材料及びそれを用いた半導体装置の製造方法

Inventor： 小柏 俊典 ,  有川 孝俊 ,  岸本 浩一 ,  手島 聡
Applicant, Patent owner： 田中電子工業株式会社
Agent (1)： 石田 敬 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000097914
Publication number (International publication number)：2001284792
Application date： Mar. 30, 2000
Publication date： Oct. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】 無鉛半田において、耐熱疲労性能を向上させると共に、半導体装置をプリント基板に半田実装する際の高温度にさらしてもダイボンド部の抵抗変化を小さくすること。【解決手段】 Sbを11.0〜20.0質量%、Pを0.01〜0.2質量%、好ましくはさらにCu,Niのうち少なくとも1種を0.005〜5.0質量%含み、残部Sn及び不可避的不純物からなるダイボンディング用半田材料。ICチップとリードフレームアイランド部の接合面がCu,Ni又はAuであり、かつ樹脂成形後150〜250°Cで熱処理することが好ましい。

Claim (excerpt)：

Sbを11.0〜20.0質量%、Pを0.01〜0.2質量%及び残部がSn及び不可避不純物からなるダイボンディング用半田材料。

IPC (3)：

H05K 3/34 512 ,  B23K 35/26 310 ,  H01L 21/52

FI (3)：

H05K 3/34 512 C ,  B23K 35/26 310 A ,  H01L 21/52 E

F-Term (9)：

5E319AA03 ,  5E319AA07 ,  5E319AB01 ,  5E319BB05 ,  5F047AA11 ,  5F047BA06 ,  5F047BA19 ,  5F047BB02 ,  5F047BB03