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J-GLOBAL ID：200903033774805860

不純物濃度プロファイル測定方法および薄膜試料の膜厚測定方法

Inventor： 山下 洋
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 宮井 暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000305948
Publication number (International publication number)：2002118159
Application date： Oct. 05, 2000
Publication date： Apr. 19, 2002
Summary：

【要約】【課題】 半導体基板中微少領域の微量な不純物濃度分布を測定することができる。【解決手段】 不純物拡散領域19を有する半導体基板13を透過型電子顕微鏡で観察が可能な厚さに薄膜化する工程と、薄膜化した半導体基板13中の不純物拡散領域19を、フッ酸と硝酸からなる混合液を用いて不純物拡散領域19の不純物濃度分布に対応した膜厚のくさび形形状にエッチングする工程と、透過型電子顕微鏡を用いてエッチングした不純物拡散領域19の膜厚をエネルギーフィルタ法により測定する工程と、測定した膜厚と予め調べた不純物濃度に対するエッチング量との対応関係から、不純物濃度の2次元分布を求める工程とを含む。これにより、ウェットエッチングした半導体基板部分のエネルギーフィルタ法による膜厚測定から、半導体基板13における微少領域の微量な不純物濃度分布を測定することが可能となる。

Claim (excerpt)：

不純物拡散領域を有する半導体基板を透過型電子顕微鏡で観察が可能な厚さに薄膜化する工程と、薄膜化した半導体基板中の前記不純物拡散領域を、フッ酸と硝酸からなる混合液を用いて前記不純物拡散領域の不純物濃度分布に対応した膜厚のくさび形形状にエッチングする工程と、前記透過型電子顕微鏡を用いて前記エッチングした不純物拡散領域の膜厚をエネルギーフィルタ法により測定する工程と、測定した膜厚と予め調べた不純物濃度に対するエッチング量との対応関係から、不純物濃度の2次元分布を求める工程とを含む不純物濃度プロファイル測定方法。

IPC (7)：

H01L 21/66 ,  G01B 15/02 ,  G01N 1/28 ,  G01N 1/32 ,  G01N 13/16 ,  G01N 23/04 ,  G01B 21/30

FI (7)：

H01L 21/66 P ,  G01B 15/02 B ,  G01N 1/32 B ,  G01N 13/16 A ,  G01N 23/04 ,  G01B 21/30 ,  G01N 1/28 G

F-Term (57)：

2F067AA27 ,  2F067CC17 ,  2F067JJ05 ,  2F067KK06 ,  2F067KK07 ,  2F067LL00 ,  2F067RR02 ,  2F067RR35 ,  2F067RR44 ,  2F067UU33 ,  2F069AA46 ,  2F069AA60 ,  2F069BB15 ,  2F069CC06 ,  2F069GG04 ,  2F069GG07 ,  2F069GG20 ,  2F069GG72 ,  2F069HH30 ,  2F069MM34 ,  2F069NN00 ,  2G001AA03 ,  2G001BA11 ,  2G001CA03 ,  2G001EA06 ,  2G001GA01 ,  2G001GA06 ,  2G001HA13 ,  2G001JA12 ,  2G001KA01 ,  2G001KA11 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G001NA07 ,  2G001RA02 ,  2G001RA04 ,  2G052AA13 ,  2G052AB01 ,  2G052AD32 ,  2G052AD52 ,  2G052EC12 ,  2G052EC14 ,  2G052FD10 ,  2G052JA09 ,  4M106AA01 ,  4M106AA10 ,  4M106AB01 ,  4M106BA02 ,  4M106CA49 ,  4M106CB02 ,  4M106DH03 ,  4M106DH24 ,  4M106DH33 ,  4M106DH50 ,  4M106DJ17 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ20