Pat

J-GLOBAL ID：200903033778996856

ショットキー接合型半導体光検出素子

Inventor： 後藤田 光伸
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998336947
Publication number (International publication number)：2000164918
Application date： Nov. 27, 1998
Publication date： Jun. 16, 2000
Summary：

【要約】【課題】 量子効率の高いショットキー接合型半導体光検出素子を提供する。【解決手段】 n又はp型の半導体基板上に、半導体基板との界面でショットキーバリアを形成する金属シリサイド層を備え、その金属シリサイド層で発生した電荷のうちのホットキャリアを上記半導体基板を介して出力することにより光を検出するショットキー接合型半導体光検出素子において、その界面を、ホットキャリアの量を増大させるように、方位の異なる複数の面を有してなる凹凸面とした。

Claim (excerpt)：

n又はp型の導電性を有する半導体基板上に、入射光によって電荷を発生させかつ上記半導体基板との界面でショットキーバリアを形成する金属シリサイド層を備え、該金属シリサイド層で発生した電荷のうちの上記ショットキーバリアを越えるエネルギーを有するホットキャリアを上記半導体基板を介して出力することにより光を検出するショットキー接合型半導体光検出素子において、上記界面を、上記ショットキーバリアを越えるホットキャリアの量を増大させるように、方位の異なる複数の面を有してなる凹凸面としたことを特徴とするショットキー接合型半導体光検出素子。

F-Term (13)：

5F049MA05 ,  5F049MB02 ,  5F049NA01 ,  5F049NB05 ,  5F049QA06 ,  5F049QA07 ,  5F049SE05 ,  5F049SE11 ,  5F049SE12 ,  5F049SE20 ,  5F049SS03 ,  5F049SZ03 ,  5F049WA01