半導体薄膜および半導体装置

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998044659
Publication number (International publication number)：1998294280
Application date： Feb. 09, 1998
Publication date： Nov. 04, 1998
Summary：

【要約】【目的】 IGFET に匹敵する性能を有した半導体装置を提供する。【構成】結晶化を助長する触媒元素を利用して結晶化した結晶シリコン膜で活性層を形成し、ハロゲン元素を含む雰囲気中で加熱処理を行い触媒元素を除去する。この様な工程を経た活性層は特異な結晶構造体で構成される。この結晶構造体では結晶粒界における全ての結合手に対する不整合結合手の割合が5%以下(好ましくは3%以下)であるという特徴がある。

Claim (excerpt)：

少なくとも二つの結晶と該結晶間の結晶粒界とを有し、前記結晶粒界における全ての結合手に対する不整合結合手の割合が5%以下であることを特徴とする半導体薄膜。

IPC (3)：

H01L 21/20 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L 21/20 , H01L 29/78 618 G , H01L 29/78 618 A , H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-235461 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-335043 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-162703 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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