薄膜素子の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：柏谷昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992212554
Publication number (International publication number)：1994061198
Application date： Aug. 10, 1992
Publication date： Mar. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】薄膜素子の製造方法に関し、損傷を生じることなく薄膜の表面を清浄化した後、次の工程で成膜するときまで清浄な表面を保ち得る薄膜素子の製造方法を提供する。【構成】絶縁基板1の上に形成された少なくともシリコンまたはゲルマニウムを含んだ半導体層2、あるいは、酸化物導電性物質または窒化物導電性物質のいずれか一方を含む導電性被膜を、少なくとも水素、塩素、フッ素、臭素または沃素のうちの1種またはそれ以上の単体もしくは化合物を含んだプラズマ8に曝すことによって、表面の汚染層3を除去する工程を有する薄膜素子の製造方法において、この半導体層2あるいは導電性被膜をプラズマに曝すときの基板温度を、上記の酸化物等への水素等の内部への拡散速度が、その表面への吸着速度と等しい温度以下に保つ。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上に形成された少なくともシリコンまたはゲルマニウムを含んだ半導体層を、少なくとも水素、塩素、フッ素、臭素または沃素のうちの1種またはそれ以上の単体もしくは化合物を含んだプラズマに曝すことによって、該半導体層の表面の汚染層を除去する工程を有する薄膜素子の製造方法において、該半導体層をプラズマに曝すときの基板温度を、該酸化物、窒化物への水素、フッ素、塩素、沃素、臭素の少なくともいずれか一つの内部への拡散速度が、その表面への吸着速度と等しい温度以下にすることを特徴とする薄膜素子の製造方法。

IPC (8)：

H01L 21/302 , C23C 14/56 , C23C 16/02 , C23F 4/00 , C30B 25/02 , G09F 9/30 310 , H01L 21/205 , H01L 29/784

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭63-048817
特開平3-120822
特開平3-259123

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