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J-GLOBAL ID：200903033814912702

半導体装置とその製造方法

Inventor： 本間 一郎
Applicant, Patent owner： NECエレクトロニクス株式会社
Agent (1)： 徳丸 達雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003100287
Publication number (International publication number)：2004311570
Application date： Apr. 03, 2003
Publication date： Nov. 04, 2004
Summary：

【課題】基板研磨の際に生じるバラツキやパターン依存性を防止するために、ウェハー内の有効なショット領域の外側にダミーパターンを形成することとすると、露光時のスループットが低下し、生産性を著しく阻害する。【解決手段】ウェハーの外周に形成した円環状マスクを用いて、ダマシン配線やコンタクトホール等の配線構造が形成された領域における基板から絶縁膜の上面までの高さと、同等の高さを有する配線構造が形成されない領域をウェハーの外周に形成する。円環状マスクは、ポジレジストに重合反応を起こさせることにより、または選択的に樹脂を塗布すること等により形成する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

埋め込み配線構造を有する半導体装置において、ウェハーの外周近傍の円環状の領域に位置する埋め込み配線構造が形成されない領域と、前記ウェハーの外周近傍の円環状の領域の内側に埋め込み配線構造が形成された領域とを備え、前記埋め込み配線構造が形成されない領域における基板から絶縁膜の上面までの高さが、前記埋め込み配線構造が形成された領域における基板から絶縁膜の上面までの高さと同等であることを特徴とする半導体装置。

IPC (1)：

H01L21/3205

FI (1)：

H01L21/88 K

F-Term (25)：

5F033HH25 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK25 ,  5F033MM01 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ52 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR15 ,  5F033SS11 ,  5F033TT02 ,  5F033XX01