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J-GLOBAL ID：200903033815757883

電界効果型半導体装置

Inventor：
樋田 光

About 樋田 光


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 五十嵐 省三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994192944
Publication number (International publication number)：1996037292
Application date： Jul. 25, 1994
Publication date： Feb. 06, 1996
Summary：
【要約】【目的】 高寄生抵抗、高信頼性、高電荷密度、高耐圧のHEMTを提供すること。【構成】 半絶縁性GaAs基板1上に、アンドープGaAsバッファ層2、アンドープIn0.35Ga0.65Asチャネル層3、アンドープGaAsスペーサ層4、N型In0.15Ga0.85As電子供給層5、アンドープGaAsバリア層6、N型GaAsキャップ層7を順次成長させる。その上に、Alによるゲート電極8G、AuGe/Ni/Auによるソース電極8S及びドレイン電極8Dを形成する。つまり、チャネル層3及び電子供給層5にInを添加し、チャネル層3のIn組成比を電子供給層5のIn組成比より大きくする。
Claim (excerpt)：
第1の電子電子親和力(χ1)を有する第1の半導体層(3)と、該第1の半導体層上に形成され、前記第1の電子親和力より小さい第2の電子電子親和力(χ2)を有するアンドープもしくは低不純物密度の第2の半導体層(4)と、該第2の半導体層上に形成され、前記第1の電子親和力より小さく前記第2の電子親和力より大きい第3の電子親和力(χ3)を有する高ドナー不純物密度の第3の半導体層(5)とを具備し、前記第1、第3の半導体層はInを添加物として含み、かつ前記第1の半導体層のIn組成比を前記第3の半導体層のIn組成比より大きくした電界効果型半導体装置。
IPC (4)：
H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • 特開昭63-090173
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-147214   Applicant：株式会社日立製作所
  • 特開平3-104126

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