レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：奥山尚一 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000312782
Publication number (International publication number)：2002122992
Application date： Oct. 13, 2000
Publication date： Apr. 26, 2002
Summary：

【要約】【課題】高感度かつ高解像性と十分な保存安定性を併せ持つレジスト材料、及び該レジスト材料を用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】下記一般式(1)で示される炭素-炭素二重結合を有さないビス(アルキルスルホニル)メタン誘導体を含有することを特徴とするレジスト材料を提供する。【化1】また、本発明は、上記レジスト材料を基板上に塗布する工程と、加熱処理後フォトマスクを介して高エネルギー線もしくは電子線で露光する工程と、必要に応じて加熱処理した後現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法を提供する。

Claim (excerpt)：

(A)有機溶剤、(B)波長193nmの透過率が30%/μm以上である、酸不安定基で保護されたアルカリ不溶性樹脂またはアルカリ難溶性樹脂であって、該酸不安定基が解離したときにアルカリ可溶性となる-(CO)-O-(CO)k-基(式中、kは0または1を示す。)を有する脂環式構造からなる樹脂、(C)酸発生剤、(D)塩基性化合物、(E)下記一般式(1)で示される炭素-炭素二重結合を有さないビス(アルキルスルホニル)メタン誘導体、を含有することを特徴とするレジスト材料。【化1】(式中、Rp及びRqは、互いに同一でも異なってもよく、炭素数1〜12の直鎖状、炭素数3〜12の分岐状又は環状のヘテロ原子を含んでも良い1価の飽和炭化水素基を示す。X及びYは、互いに同一でも異なってもよく、水素原子、炭素数1〜12の直鎖状、炭素数3〜12の分岐状又は環状のヘテロ原子を含んでも良い1価の飽和炭化水素基を示す。XとYとは環を形成してもよく、環を形成する場合にはX、Yはそれぞれ炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。)

IPC (9)：

G03F 7/039 601 , C08K 5/00 , C08K 5/10 , C08K 5/41 , C08L101/02 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 502 , G03F 7/004 504 , H01L 21/027

FI (9)：

G03F 7/039 601 , C08K 5/00 , C08K 5/10 , C08K 5/41 , C08L101/02 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 502 , G03F 7/004 504 , H01L 21/30 502 R

F-Term (46)：

2H025AA00 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CC01 , 2H025CC03 , 2H025CC04 , 2H025CC20 , 2H025FA17 , 4J002BG031 , 4J002BG041 , 4J002BG051 , 4J002BH021 , 4J002BK001 , 4J002DF007 , 4J002EB116 , 4J002EH029 , 4J002EH079 , 4J002EH099 , 4J002EH109 , 4J002EN027 , 4J002EN037 , 4J002EN067 , 4J002EN077 , 4J002EN107 , 4J002EN117 , 4J002EP017 , 4J002EU027 , 4J002EU047 , 4J002EU177 , 4J002EU227 , 4J002EV216 , 4J002EV218 , 4J002EV246 , 4J002EV296 , 4J002EV327 , 4J002EX029 , 4J002FD206 , 4J002FD207 , 4J002FD209 , 4J002FD319 , 4J002GP03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

化学増幅型レジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-095680 Applicant：クラリアントジャパン株式会社
新規なエステル化合物、高分子化合物、レジスト材料、及びパタ-ン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-128044 Applicant：信越化学工業株式会社
特開平4-210960

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