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J-GLOBAL ID：200903033826748797

半導体装置

Inventor： 小杉 清久 ,  渡部 純一 ,  代木 育夫
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992007920
Publication number (International publication number)：1993198811
Application date： Jan. 20, 1992
Publication date： Aug. 06, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明は、絶縁ゲート型電界効果トランジスタ及びこれを用いたアクティブマトリクス駆動液晶表示装置に関し、ゲート絶縁膜の絶縁破壊を防止することができ、かつゲート絶縁膜の汚染を防止して、電圧-電流特性の閾値のシフトを防止することが可能な半導体装置の提供を目的とする。【構成】第1の導電体層13bと、第2の導電体層23と、第1の導電体層13bと第2の導電体層23との間に挟まれた絶縁体層16とを有し、絶縁体層16は、所定の印加電界以下で絶縁性を示し、かつ前記所定の印加電界以上で導電性を示すような可逆的非線形導電性を有する絶縁膜14を含んでいることを含み構成する。

Claim (excerpt)：

第1の導電体層と、第2の導電体層と、前記第1の導電体層と前記第2の導電体層との間に挟まれた絶縁体層とを有し、前記絶縁体層は、所定の印加電界以下で絶縁性を示し、かつ前記所定の印加電界以上で導電性を示すような可逆的非線形導電性を有する絶縁膜を含んでいることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500 ,  G09F 9/30 343 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/12