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J-GLOBAL ID：200903033827238520

光電変換装置

Inventor：
上野 勇武

About 上野 勇武


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996039614
Publication number (International publication number)：1997233392
Application date： Feb. 27, 1996
Publication date： Sep. 05, 1997
Summary：
【要約】【課題】 CMOS型等のX-Yアドレス方式の光電変換装置に上澄み電荷転送機能を備えた素子を提供し、上澄み電荷の蓄積手段としてCCDを用いなくても、同様に信号の背景輻射による成分を除去して、S/N比の高い信号を得る。【解決手段】 光電変換手段1から発生する光信号電荷をMOSトランジスタ2の制御電極(ゲート)に蓄積する光電変換装置であり、上記光電変換手段1から発生した電荷の上澄み電荷を転送する手段としてのスキミング電極12と、上記転送した上澄み電荷を蓄積する手段としてのn+ 領域31と、上記上澄み電荷による電位変化を読み出す手段としてのMOSトランジスタ2と、上記転送する上澄み電荷量を自動的に制御する手段51、52と、を有することを特徴とする光電変換装置。
Claim (excerpt)：
光電変換手段から発生する光信号電荷を制御電極に蓄積する光電変換装置において、上記光電変換手段から発生した電荷の上澄み電荷を転送する手段と、上記転送した上澄み電荷を蓄積する手段と、上記上澄み電荷による電位変化を読み出す手段と、上記転送する上澄み電荷量を自動的に制御する手段と、を有することを特徴とする光電変換装置。
IPC (2)：
H04N 5/335 ,  H01L 27/14
FI (2)：
H04N 5/335 E ,  H01L 27/14 K
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 特開平2-151183
  • 特開平4-281682
Cited by examiner (4)
  • 特開平2-151183
  • 特開平2-151183
  • 特開平4-281682
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