半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：宮田金雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997334484
Publication number (International publication number)：1999168139
Application date： Dec. 04, 1997
Publication date： Jun. 22, 1999
Summary：

【要約】【課題】半導体装置の製造方法において、層間絶縁膜に下層のソース・ドレイン領域に到達するコンタクトホールを形成後、コンタクトホール内洗浄のためのウェット処理の際、半導体基板の正電荷の影響によって上記ソース・ドレイン領域表面が異常に等方性エッチングされるのを防止して、コンタクト抵抗を低減する。【解決手段】層間絶縁膜35にコンタクトホール37を形成した後、反応室とプラズマ発生室が一体化した、例えばECRエッチング装置により、半導体基板23を直接プラズマに晒すプラズマ処理を行い、半導体基板23の正電荷を除去した後、コンタクトホール37内洗浄のためのウェット処理を行う。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された導電層表面の少なくとも一部が露出した状態で、上記半導体基板に表面洗浄のためのウェット処理を施す際、上記ウェット処理に先立って、上記半導体基板の正電荷の除去処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/768 , H01L 21/306 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (3)：

H01L 21/90 C , H01L 21/306 F , H01L 29/78 301 Y

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-010260 Applicant：松下電子工業株式会社
接続孔の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-273835 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-334546 Applicant：川崎製鉄株式会社

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