反射防止膜形成用塗布液組成物およびこれを用いたレジスト材料

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川洋子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998164600
Publication number (International publication number)：1999352697
Application date： Jun. 12, 1998
Publication date： Dec. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】特に化学増幅型ホトレジスト組成物を用いた場合に定在波効果を効率よく低減化することができ、また膜質、膜除去性にも優れる反射防止膜の形成が可能な反射防止膜形成用塗布液組成物およびこれを用いたレジスト材料を提供する。【解決手段】環式パーフルオロアルキルポリエーテルと鎖式パーフルオロアルキルポリエーテルを3:10〜10:1(重量比)の割合で混合した混合物と、フッ素系有機溶剤とを含有させて反射防止膜形成用塗布液組成物とする。そして、該反射防止膜形成用塗布液組成物を用いて形成した反射防止膜をホトレジスト層上に形成してレジスト材料とする。

Claim (excerpt)：

環式パーフルオロアルキルポリエーテルと鎖式パーフルオロアルキルポリエーテルを3:10〜10:1(重量比)の割合で混合した混合物と、フッ素系有機溶剤とを含有してなる、反射防止膜形成用塗布液組成物。

IPC (3)：

G03F 7/11 503 , G03F 7/004 506 , H01L 21/027

FI (4)：

G03F 7/11 503 , G03F 7/004 506 , H01L 21/30 502 R , H01L 21/30 574

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

レジスト材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-073108 Applicant：東京応化工業株式会社
フォトレジスト及びこのフォトレジストを用いた半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-313696 Applicant：ソニー株式会社

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