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J-GLOBAL ID：200903033838620125

半導体ウェハデバイスのカバ-キャップ

Inventor：
モーリス エス カープマン

About モーリス エス カープマン

, 
ディパック センギュプタ

About ディパック センギュプタ


Applicant, Patent owner：
アナログ デバイスィズ インコーポレイテッド

About アナログ デバイスィズ インコーポレイテッド


Agent (1)： 溝井 章司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999322868
Publication number (International publication number)：2000183205
Application date： Nov. 12, 1999
Publication date： Jun. 30, 2000
Summary：
【要約】【課題】 半導体ウェハデバイスのためのカバーキャップを提供する。【解決手段】 フォトエッチング可能か又は透明である材料のカバーウェハ20をパターン成型し、多数の半導体デバイスを搭載したデバイス基板10へカバーとして取り付けアセンブリ24を形成する。カバーウェハ20は選択的に感光されエッチングされ、デバイス基板の個々のデバイスに対応するように、カバーキャップ34がそれぞれカバーウェハ20上に定義される。アセンブリ24は個々のデバイスに分割切断され、デバイスはパッケージングされる。イメージセンサやMEMSのようなマイクロマシンデバイス等の、多種の半導体デバイスの形成方法において、デバイスを分割切断する前にデバイス基板にカバーウェハを取り付けることにより、粒子汚染、湿気、溶剤、デバイス基板表面へのスクラッチ傷といった多くの周囲の障害から、デバイス基板を保護し、より強固なデバイスが得られる。
Claim (excerpt)：
カバーキャップを持つ半導体デバイス形成方法であって、少なくともフォトエッチング可能であるカバーウェハと透過性を持つカバーウェハとのいずれかをパターン成型してカバー構造を形成するカバーウェハパターン成型工程と、上記カバー構造を、少なくともひとつのデバイスを有するデバイス基板に取り付けアセンブリを形成するカバー構造取り付け工程とを備えたことを特徴とする半導体デバイス形成方法。
IPC (2)：
H01L 23/02 ,  H01L 31/02
FI (3)：
H01L 23/02 J ,  H01L 23/02 F ,  H01L 31/02 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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