Pat
J-GLOBAL ID：200903033872002503
半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992058653
Publication number (International publication number)：1993267295
Application date： Mar. 17, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：
【要約】【目的】多層金属配線の層間絶縁膜の平坦化を可能にする。【構成】3個以上のスルーホールが垂直に積み重なった貫通スルーホール構造を含む多層配線を形成するに際し、貫通スルーホールの周囲にダミー配線6A〜6Dを配置する。
Claim (excerpt)：
3個以上のスルーホールが垂直に積み重ねられた貫通スルーホールを含む多層配線を有する半導体装置において、前記貫通スルーホールの周囲には層間絶縁膜を平坦化するためのダミー配線が設けられていることを特徴とする半導体装置。
FI (2)：
H01L 21/88 K
, H01L 21/88 S
