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J-GLOBAL ID:200903033872002503
半導体装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992058653
Publication number (International publication number):1993267295
Application date: Mar. 17, 1992
Publication date: Oct. 15, 1993
Summary:
【要約】【目的】多層金属配線の層間絶縁膜の平坦化を可能にする。【構成】3個以上のスルーホールが垂直に積み重なった貫通スルーホール構造を含む多層配線を形成するに際し、貫通スルーホールの周囲にダミー配線6A〜6Dを配置する。
Claim (excerpt):
3個以上のスルーホールが垂直に積み重ねられた貫通スルーホールを含む多層配線を有する半導体装置において、前記貫通スルーホールの周囲には層間絶縁膜を平坦化するためのダミー配線が設けられていることを特徴とする半導体装置。
FI (2):
H01L 21/88 K
, H01L 21/88 S
Patent cited by the Patent:
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