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J-GLOBAL ID：200903033876526264

半導体材料薄膜の成長法

Inventor： 廣木 正伸 ,  小林 隆
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (2)： 和泉 良彦 ,  小林 茂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003349354
Publication number (International publication number)：2005116785
Application date： Oct. 08, 2003
Publication date： Apr. 28, 2005
Summary：

【課題】半導体材料薄膜の成長の際、基板の反り量を低減するか、もしくは反り量が無い状態の半導体材料薄膜の成長法を提案し、精密で微細な加工を要求される素子作製プロセスを可能とし、かつ歩留まりの向上を図る。【解決手段】あらかじめ、基板の裏面に、窒化物半導体材料であるGaNまたはAlN4を基板裏面に堆積させたサファイア基板3を用い、サファイア基板3の表面上に、MOVPE(有機金属気相成長法)により、2μm程度のGaN2を堆積した後、Al組成10%から30%の厚さ30nm程度のAlGaN1のヘテロ構造を成長した。GaN2の格子定数、熱膨張係数は、サファイア基板3に比べ共に小さい。この素子構造としたところ、サファイア基板3の反り量を5μm程度に低減(基板裏面に窒化物を堆積しない場合の反り量は40μm)できた。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上への半導体薄膜成長時において、その成長に用いる基板材料と成長させる半導体材料との格子定数が異なり、基板材料の格子定数が成長させる半導体材料の格子定数よりも小さい場合、あらかじめ基板の裏面に、当該基板の格子定数よりも小さい材料を積層させたものを基板として使用することを特微とする半導体材料薄膜の成長法。

IPC (3)：

H01L21/205 ,  C23C16/02 ,  C23C16/34

FI (3)：

H01L21/205 ,  C23C16/02 ,  C23C16/34

F-Term (20)：

4K030AA11 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC07 ,  5F045AF09 ,  5F045AF20 ,  5F045BB11 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA69